取晶：以化學腐蝕的方法將晶粒（die）從封裝中取出，以利下一步拍照評估，層次去除或其他分析的進行。

拍照評估：取晶後將晶粒置於顯微鏡下，初步觀察測量工藝制程（線寬，Metal層數和Poly層數），拍出晶片上層概貌

圖，給出建議拍照倍率，整合上述內容生成評估報告。如需更為精確的評估報告，需在取晶後進一步去層至poly層，方

可給出。

晶片概貌圖例（注：下圖與真實工程圖相比，已等比縮小至原概貌圖10～20%左右）